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由于有机电致发光器件(orGaNic light-emitting devices,oleds)的主动发光、高亮度等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景。报道了纳米zno薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
2 o3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量 ,从而提高外延层GaN的质量 ,达到器件制作的要求
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了inGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜111
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
采用自组装的方法(提拉法)在普通玻璃盖玻片衬底上制备了聚苯乙烯微球层,对其进行简单的热处理可获得类似微透镜的结构。利用折射率匹配液将其耦合在常规oleds的出光面,研究了其对器
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
投影显示技术的数字化、网络化、多媒体互联已经实现，投影产品的核心组成包括光源照明系统、分色合色处理系统、投影镜头、图像信号处理电路、微显示器件等。在显示效果方面，目前的投影产品已
https://www.alighting.cn/news/20110908/92757.htm2011/9/8 10:07:55
应面临短缺，而且年底时可能严重供应不足，除非这种需求旺盛的器件产能得到提升。目前正大肆展开供应厂商认证作业，以防年底缺货冲击加深，至于应用端影响，估计对于tv背光渗透率冲击不大，但芯
http://blog.alighting.cn/pentiumD/archive/2011/9/6/235667.html2011/9/6 19:58:40
GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
性 led开关电源电磁兼容性:高频led开关电源的电磁兼容(emc)问题有其特殊性.功率半导体器件在开关过程中所产生的di/dt和dv/dt,将引起强大的传导电磁干扰和谐波干扰,以
http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/9/5/235079.html2011/9/5 22:47:20
