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功率型LED封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采传统

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率型LED封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采传统

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型LED封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采传统

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型LED封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采传统

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型LED封装技术的关键工艺分析

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  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

功率型LED封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采传统

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

晶台光电全面拓展汽车LED领域

晶台光电总经理龚文表示,公司针对汽车市场开拓问题重点进行了调查,发现汽车LED产品对产品性能、品质的要求极高,仅次于航空产品的要求,产品门槛非常高,非常适合晶台光电的企业和产

  https://www.alighting.cn/news/20110809/115590.htm2011/8/9 10:09:06

葳天科技全面更新高功率LED 推出新cob系列产品

葳天科技藉由在固晶涂布技术、银量控制技术、芯片间最小间距技术,这三方技术突破下,发展cob 10w~35w产品,发光效率在3,000k暖白光及cri 80条件下,可以到达10

  https://www.alighting.cn/pingce/20121221/121985.htm2012/12/21 14:02:18

东京晴空塔城前的陶瓷LED散热材料

n-9h是以氧化铝(al2o3)为基础的材料,具有高导热率和高热辐射率,通过辐射红外线来实现散热,因此,LED照明中常的散热铝基板所需要的散热片。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120717/122365.htm2012/7/17 13:38:00

优化hb LED使寿命 esd保护元件扛重任

本文中将探讨esd保护的重要性,阐释hb LED模组制造商藉着最先进保护技术来确保其设计将使寿命和品质潜能提升至最优。

  https://www.alighting.cn/resource/20111123/126861.htm2011/11/23 14:02:35

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