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为克服以上缺陷，本文提出了在p1口的部分口线上实现2x8阵列的中断方式键盘输入和脱机硬件动态显示的新方法。 2 原 理 2．1 硬件设计 硬件原理电路如图1所示。在803
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134101.html2011/2/20 22:21:00
路。大多数光学耦合器都经过ul1577、csa和 iec/din en/en 60747-5-2列明的基本安全标准认证。 在某些情况下，人们特别希望提高一个封装中的光学耦合器数
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
构的处理器,有着丰富的外围接口资源。at91m42800a有2个usart外围接口，系统用usart0口和max485组成485接口电路，具体的接口电路如图2所示。at91m4280
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134099.html2011/2/20 22:20:00
点，是gan氮化物半导体的纵光学(lo:longitudinal optical；以下简称为lo)与音子(pHonon；格子波的量子)的能量(? ω =H/2π，H为膜厚plank常
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。 图1显示了Hi-led内部电压与电流的典型关系。在正向电压 (vf)超出内部门槛电压前，Hi-led上几
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
5），用于把汽车总线电压（标称值为12v）降至一个更加合适的led电压，根据应用的led彩色和亮度要求的不同，该led电压的变化范围可在2.68v至4.88v（每个led）之间。与
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134094.html2011/2/20 22:17:00
d的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，led的发光强
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路如图l所示。它相当于一个电流为j9H的恒流源与一只正向二极管并联。流过二极管的正向电流在太阳电池中称为暗电流id。rsH称为旁路电阻．主要由下列几种因素引起：如表面沾污而产生的沿
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
有稳定的可编程性,这使得软件控制下硬件的改变不受器件的影响。 1.2 isp lsi简介 lattice 公司研制的在系统可编程大规模集成电路(isplsi)系列芯片具
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我们在研制一个阵列信号处理系统中，由于阵列天线必须放置于四周开阔地带，而阵列信号处理单元位于圆形陈列天线中央位置，这就需要在阵列信号处理单元与位于1～2km以外的微机之间进行双
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