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si衬底gAn基材料及器件的研究

、氢化物汽相外延(hvpe)[6] 等。 2.1 mocvdmocvd是一种非平衡生长技术,它依赖于源气体传输过程和随后的ⅲ族烷基化合物与ⅴ族氢化物的热裂解反应。组分和生长速率均

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

白光led电荷泵电路板布局指南

间最好没有过孔。 图1 图2 如果有独立的gnd与pgnd和/或in与pin引脚,则ic包含有独立的电源和偏置输入。如

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134115.html2011/2/20 22:53:00

如何应对新型大功率led的设计挑战

流达到0.7A。这比要求1.4vdc时驱动电流仅要20mA的标准led要高多了。 目前,二极管的冷却是机械设计和电路板布局需要考虑的主要问题。管芯温度也会影响器件的输出亮度,因为

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134116.html2011/2/20 22:53:00

玩转升压调节器——预测led驱动器反馈环路

行放大以匹配1.25v的标准能隙基准电压,则当1A电流通过led时,电流感应电阻的功耗为1.25w。但其对整个控制环的影响不大。降低的rsns值大致抵消了增加的增益。对于增益Asn

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134114.html2011/2/20 22:52:00

白色发光二极管及其驱动电路

光,由于价格因素,绿色led居主流,约占led背光产品的80% 。它们的额定电流为2mA20mA,亮度为600mcd。由于白色led的成本较高,目前主要用于彩屏手机和彩屏pd

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00

集成功率级led与恒流源电路一体化设计

[(A/b)( A+2x)/(b+2x)]}/ 2k(A-b) 式中,A和b分别为硅基板的长和宽; x为硅基板的厚度;k为硅基板的热导率。 4 主要参数测试结果 4.

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

2、ar等惰性气体作为carrier而将原反应物带入反应室中。[pAge] 2.反应室 反应室控制化学反应的温度与压力。在此反应物吸收系统供给的能量,突破反应活化能的障碍开

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00

照明led的特性测量

射测量分部(division2:meAsurement of light And rAdiAtion)专门针对led的特性测量问题,已举行了两次由全球最著名的、最有代表性的专家参

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134109.html2011/2/20 22:49:00

光纤照明和led照明的比较

域的一种照明方式,它具有如下特点: 1)由于光纤的自身特性和光的直线传播原理,光纤在理论上可以把光线传播到任何地方,满足了实际应用的多元性。 2)我们可以通过滤光装置获得我们所

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led发光字的光源选择

所利用率的基础上应运而生的。以往的超薄发光标牌和超薄发光灯箱厚度大致在1.5-3.0cm之间。2004年,南京比亚公司在此基础上,独立开发了一套厚度在0.8-1.5cm之间的超薄标

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