检索首页
阿拉丁已为您找到约 52745条相关结果 (用时 0.2597062 秒)

led背光与无彩色滤光片技术

d cathode fluorescent lamp,ccfl)或是led光源。在混色原理上,各原色是以空间轴混色,空间轴上的混色意思是,人眼看到东西可以看出颜色,是靠空间轴上r、G、b三

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00

led芯片的制造工艺简介

及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

氮化镓衬底及其生产技术

晶,向4-6英?挤较蚍⒄梗?以及降低杂质污染和提高表面抛光质量。3)sic衬底除了al2o3衬底外,目前用于氮化镓生长衬底就是sic,它在市场上的占有率位居第二,目前还未有第三种衬

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

Gan外延片的主要生长方法

v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如:Ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,Ga(c2h5)

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

led外延片(衬底材料)介绍

用,在ic中用量不大,它需要在单晶si片表面上沉积一薄的单晶si层。一般外延层的厚度为220μm,而衬底si厚度为610μm(150mm直径片和725μm(200mm片)。外延沉

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00

led与太阳能结合的照明技术

等特点。1. 太阳能光伏发电的原理:太阳能光伏发电是依靠太阳能电池组件,利用半导体材料的电子学特性,当太阳光照射在半导体pn结上,由于p-n结势垒区产生了较强的内建静电场,因而产

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00

我国半导体照明应用现状

及军用等,其中建筑景观照明是我国led最大的应用领域。2、成熟市场(1)建筑景观照明由于led光源具有节能环保、轻巧耐用、色彩丰富、简单易控、低压安全等一系列优点,在景观照明中具有广

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00

led的封装技术

入实际应用,才能为顾客提供服务,使产业链环环相扣,无缝畅通。2 led封装的特殊性led封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的,但却有很大的特殊性。一般情况下,分

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

led光源的道路灯具的设计要点

为50%。也因为上述原因,目前我国次干道的照明效果(路面照度和照度的均匀度)基本都达不到cjj45-2006和cie31以及cie115标准的要求。2.目前采用led光源的道路灯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229927.html2011/7/17 23:20:00

首页 上一页 2716 2717 2718 2719 2720 2721 2722 2723 下一页