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led外延片生长基本原理

出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 有机金属化学气相沉积方法(mocvd ) 金属有机物化学气相淀

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00

科学家利用新的制造技术得到纳米紫外led

务。 新型led的最大特点是:它们由单一成分氮化镓构成。每个led包含p型氮化镓薄膜和其上的n型纳米线。因此,由相同成分形成的p-n结相比成分不同的拥有更高的效率,而且耗电量更

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120561.html2010/12/13 23:07:00

高效低光衰led用红色荧光粉的研制

都发挥了重要作用。其中硫化物系列荧光粉以二价铕作为激活剂,该荧光粉具有激发范围,同时呈现峰值在600nm以上的红色带发射,并且可根据不同的需要调节激发和发射峰值等优点。该荧光

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00

gan基发光二极管的可靠性研究进展

延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷,其大部分的是线性位错,器件工作时,接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区,从而形成低阻欧姆通道,造成led结特性退

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00

ti推出最小线性led驱动器

共两组,均为共阴极结构)提供恒定电流。在不具备外置电阻器的情况下,电流源默认为出厂时设定,预设电流电平的精度为 ±0.5%(典型值)。可选的外置电阻器可用于设置具有更高精度的用户可编

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120545.html2010/12/13 23:03:00

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜,可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶ga

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00

一种用于白光led驱动的电荷泵电路设计

围平衡电阻,大大节省了空间。   本文设计了一种用于白光led驱动的电流型电荷泵电路。采用1.5倍压升压,比传统的2倍压升压模式提高了效率,并采用数字调光方式,可提供32级灰度输

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00

研诺推出高电流wled闪光灯驱动器aat1271/72

器提供了单独的闪光灯启动和电影模式启动输入方式,来控制闪光灯和电影模式的运行。设计师们采用了一个单一的外部电阻来设定满量程闪光led电流,并提供从闪光到电影模式的7.3:1电流比

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120536.html2010/12/13 23:00:00

影响led显示屏质量的材料因素

作实践和经历,像图(14)中原来焊接牢固的led引线和图(15)中连接牢固的导线发生脱焊分离,多数是由共振引起的。由于此灯具中的所有led及电阻是串连工作的,所以电路中只要有一处开

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120528.html2010/12/13 22:57:00

下一代产品所需的过流和过压电路保护

丝   设计人员现在可选择几种技术以提供过流保护,这些技术包括传统的熔丝管(玻璃和陶瓷型)、薄膜保险丝和基于聚合物的正温度系数(ptc)器件。   表面粘着型保险丝   薄膜保险

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00

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