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leD知识集锦

径为5毫米的白光leD为20~28lm/w,寿命可大于100000小时。有人还预测,未来的leD寿命上限将无穷大。  大功率,指发光工率大,一般指0.5w,1w 3w 5w或更

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262710.html2012/1/29 0:39:15

leD光学参数的测量技术与leD国家光度标准的研究

别是严格地调灯丝位置,led发光部位及接受面位置。先用光强标准灯校准硅光电二极管,c=e/s式中es=is/(D 2 s)ds是标准灯与接受器之间的距离,is是标准灯的光强度,r

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262702.html2012/1/29 0:38:47

2048像素leD平板显示器件的封装

板显示器的封装结构设计与工艺制造。该显示器像素尺寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09

2048像素leD平板显示器件的封装

素尺寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为:λ=400~60

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262687.html2012/1/29 0:37:54

2048像素leD平板显示器件的封装

寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为:λ=400~600n

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262677.html2012/1/29 0:37:20

2048像素leD平板显示器件的封装

寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为:λ=400~600n

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262676.html2012/1/29 0:37:17

串行flash存储器在小型leD显示系统中的应用

c595的控制信号和4组串行移位寄存器的输入以及行扫描控制信号a,b,c,D构成整个leD单元板的输入。74hc595的控制信号经驱动后和4组串行移位寄存器的输出以及行经过驱动的扫

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262664.html2012/1/29 0:36:41

采用一根微控制器端口引线来控制两个leD

源电压以及在每个leD中产生所需的“接通电流”(根据需要可以有所不同)进行设计。设计参数为:v1=D1的关断电压(D1无可见光时的最坏情况最大电压)v2=D2的关断电压(D2无可见光

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262657.html2012/1/29 0:36:06

leD显示屏动态显示和远程监控的实现

为1,即置行移位寄存器的D为高电平,str使能(所有4094的oe 引脚接+5v电平),从而使列移位寄存器中的数据同时并行输出以选通该行。经延时一段时间后再进行下一行点阵数据的显

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262652.html2012/1/29 0:35:47

leD显示屏动态显示和远程监控的实现

为1,即置行移位寄存器的D为高电平,str使能(所有4094的oe 引脚接+5v电平),从而使列移位寄存器中的数据同时并行输出以选通该行。经延时一段时间后再进行下一行点阵数据的显

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