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半导体所在国家“863”计划等项目的支持下，成功研制出具有自主知识产权的研发型mocvd设备样机，并生产出性能优良的氮化镓材料，为了将这一成果早日实现国产设备产业化，4月11
https://www.alighting.cn/news/20060413/104486.htm2006/4/13 0:00:00
作为一种化合物半导体材料，gan材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中gan区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
众所周知，蓝光led基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有yag的树脂薄层，约200-500nm。 led基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到
https://www.alighting.cn/resource/20060301/128923.htm2006/3/1 0:00:00
氮化镓的格子缺陷很多却能够产生高辉度，主要原因是藉由奈米 技术控制组件结构，使得组件的发光效率得以提高，进而获得高辉度。因此本文要深入探讨氮化镓发光的奥秘，与提高发光效率的方法。
https://www.alighting.cn/resource/20060217/128920.htm2006/2/17 0:00:00
gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结构
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
美国enlux公司开发的照明用途的enlux led基强光照明灯在最近召开的拉斯维加斯国际灯饰展上获得了两项奖。在色温3000k下，暖白光发光亮度大于500 lm，它是为了代替4
https://www.alighting.cn/news/20051212/101677.htm2005/12/12 0:00:00
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
中村修二的团队成功地在新平面上生长出光滑的缺陷较少的薄膜。与此生长技术相关的专利已有12项正在申请。该薄膜生长技术涉及现有的横向外延过生长技术，但具体细节没有被披露。
https://www.alighting.cn/resource/20051106/128461.htm2005/11/6 0:00:00
80年代早期到中期对砷化镓磷化铝的使用使得第一代高亮度的led的诞生，先是红色，接着就是黄色，最后为绿色。到20世纪90年代早期，采用铟铝磷化镓生产出了桔红、橙、黄和绿光的led
https://www.alighting.cn/resource/20051014/128793.htm2005/10/14 0:00:00
https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00
