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d芯片上p-n两个电极的位置相距拉近，令芯片发光效率及散热能力提高。而最近已有大功率led的生产，就是利用新改良的激光溶解（laser lift-off）及金属黏合技术（meta
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258601.html2011/12/19 11:02:23
大光量更加速封装材料的劣化，根据业者测试结果显示连续点灯不到一万小时，高功率白光 led 的亮度已经降低一半以上，根本无法满足照明光源长寿命的基本要求。 有关 led 的发光效
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http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258599.html2011/12/19 11:02:15
n 、 philips 等，韩国已有三星、 lg 、现代等 10 余家企业宣布涉足 oled 产业，台湾地区也有来宝、东源激光、友达、胜园等 14 家厂商投入到 oled 产业。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258596.html2011/12/19 11:02:09
1998年开始，历经五年，在led-display.cnledw.com/"led显示屏专委会（现为中国光协led显示屏分会）组织努力下， 《led显示屏测试方法》行业标准（以
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258593.html2011/12/19 11:02:03
到环境风格的协调、电气安全性、使用维护的便捷等等要求。设计的参考依据是sj/t11141-2003《led显示屏通用规范》、sj/t11281-2003《led显示屏测试方法》。
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关重要。一般来说，led的人体静电模式测试失效电压不应低于2000v。3、 衰减特性 红、绿、蓝led均具有随着工作时间的增加而亮度衰减的特性。led芯片的优劣、辅助物料的好坏及封
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258590.html2011/12/19 11:01:57
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
能可能会、也可能不会集成在驱动器中。这在工厂测试中可能会成为一个问题，因为显示屏在某些测试步骤中可能还未被安装。此外，评估产品开启时的浪涌条件也很重要，因为此间大量的电流消耗可能将电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258580.html2011/12/19 11:01:23
体（encapsulating polymers）造成影响。 仅管一些测试显示，在晶粒（die）的型式下， 即使电流高到130ma仍能正常工作；但采用一般的封装后，led只能在20ma的条件下发
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