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李兴华:发展led产业是一场革命

d产业发展?   李兴华:我们选定了两个突破口,即重点突破“核心技术及装备”和“产品推广应用”这两个关键端口。在上游外延芯片环节,重点突破MOCVD(有机金属化学汽相淀积设备

  http://blog.alighting.cn/newzone/archive/2010/11/17/114831.html2010/11/17 23:13:00

国内led芯片公司竞赛格式逐渐成型

下,中国的led外延芯片职业开展敏捷,首要出产设备MOCVD机台数量添加迅猛。依据gscresearch计算,2009年中国用于led外延出产的MOCVD数量为133台,其间有正

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/12/323311.html2013/8/12 15:14:13

led芯片制造流程

作流程分为两大部分: 首先在衬低上制作氮化鎵(gan)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作gan基外延片所需的材料源和各种高

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

授。  本次国际研讨会的议题有上午、下午两个时段,分别由德力光电林振贤博士、中山大学王钢教授和真明丽ceo陈宏任博士分别主持。议题主要围绕MOCVD最新设备介绍及关键技术,大功率外

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/10/17/293388.html2012/10/17 14:45:53

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

授。  本次国际研讨会的议题有上午、下午两个时段,分别由德力光电林振贤博士、中山大学王钢教授和真明丽ceo陈宏任博士分别主持。议题主要围绕MOCVD最新设备介绍及关键技术,大功率外

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293844.html2012/10/19 22:31:18

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

授。  本次国际研讨会的议题有上午、下午两个时段,分别由德力光电林振贤博士、中山大学王钢教授和真明丽ceo陈宏任博士分别主持。议题主要围绕MOCVD最新设备介绍及关键技术,大功率外

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293940.html2012/10/19 22:34:59

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

授。  本次国际研讨会的议题有上午、下午两个时段,分别由德力光电林振贤博士、中山大学王钢教授和真明丽ceo陈宏任博士分别主持。议题主要围绕MOCVD最新设备介绍及关键技术,大功率外

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304525.html2012/12/17 19:38:17

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

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  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304554.html2012/12/17 19:38:37

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

授。  本次国际研讨会的议题有上午、下午两个时段,分别由德力光电林振贤博士、中山大学王钢教授和真明丽ceo陈宏任博士分别主持。议题主要围绕MOCVD最新设备介绍及关键技术,大功率外

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304609.html2012/12/17 19:39:08

led外延结构的内量子效率的提高方法

论和公式,甚至变换设备也没有可行的依据,所以我们在MOCVD人才引进上要看其工艺技术的功底、以及其所处环境的技术氛围和底蕴,还要根据实践去摸

  http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11

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