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射上，在algainp的结构中增加一层dbr（distributed bragg reflector）反射层，将另一边的光源折向同一边。gan方面则将基板材料换成蓝宝石（sapphire，al2o
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
形尺寸，散热对策和出光效果。led按封装形式分类有lamp-led、top-led、side-led、smd-led、high-power-led等。 3. led封装工艺流
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
少了60%以上，演播室的温度也降到更为舒适的程度。ivision的lumos drive 36可提供2.5-4.0 khz的led脉冲，而不是会产生闪动电视影像的50-60 h
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134122.html2011/2/20 22:57:00
子大屏幕。整块大屏幕是模块化的结构，每4个16×16的点阵块为一个最小模块，每行点阵由3个同样的最小模块级联而成，共8行。大屏幕上要求连续显示5屏内容，且每屏都具有上下左右移动等动画效
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00
匀扩展，可以有效提高器件的可靠性。 2.3 p型欧姆接触退化 在gan基led失效分析过程，对比器件退化前后的i－v特性[14]（图2）发现，已退化器件的寄
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
个led。对背光驱动电路的要求是： 1. 满足背光的亮度要求； 2. 整个显示屏亮度均匀(不允许有某一部分较亮、另一部分较暗的情况)； 3. 亮度可以方便地调节； 4
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134117.html2011/2/20 22:54:00
s swan公司都已经开发出用于工业化生产的ⅲ族氮化物mocvd(lp-mocvd)设备。 2.2 mbe mbe是直接以ga的分子束作为ga源，以nh 3为n源，在衬底表面反应生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
流达到0.7a。这比要求1.4vdc时驱动电流仅要20ma的标准led要高多了。 目前，二极管的冷却是机械设计和电路板布局需要考虑的主要问题。管芯温度也会影响器件的输出亮度，因为
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134116.html2011/2/20 22:53:00
器) rhp零点 (上面为电压调节器；下面为电流调节器) 对升压和升流调节器来说，下面的数值是一样的： 占空比 (vd是输出二极管压降，典型值为0.
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134114.html2011/2/20 22:52:00
为8mm～12nm；3)寿命长，可达5万小时；4）符合环保要求，led不含汞，5）与el背光相比，led背光不会产生于扰。因此，led背光广泛用于pc、tv、汽车音响、手机、通信设
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
