检索首页
阿拉丁已为您找到约 12324条相关结果 (用时 0.0348717 秒)

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要高。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

led驱动电路的组成和性能分析

众所周知,led要正常点亮,必须能提供给它一相对稳定的电压及电流,因为它是半导体器件,所以只能单向导通,故平时家用的交流供电无法满足这一要求,所以led驱动电路一语诞生,它向le

  http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/5/24/275959.html2012/5/24 11:17:29

你知道功率因数有正还有负吗?

长了!  一. 什么是功率因数?  我们知道,在电工里,所有的电压和电流都是正弦波,因为是正弦波所以就可以很方便地用矢量来表示。而在实际的电力系统里,负载不一定是纯阻,也就是说,电

  http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2015/5/18/369463.html2015/5/18 11:35:21

一种小功率电子镇流器起动电路的设计

高的电压。   2.早期辉光放电   当电极之间的电压逐渐升高时,则产生断续微电流。由于电流密度较小,不能达到所要求的放电状态。要进入放电状态,还必须增加两极间电压以增大极间电

  http://blog.alighting.cn/1193/archive/2007/11/26/8015.html2007/11/26 19:28:00

led驱动设计5大技巧要领

1、芯片发热   这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2ma,300v的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6w,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电

  http://blog.alighting.cn/tinking/archive/2010/9/13/96605.html2010/9/13 16:33:00

首页 上一页 275 276 277 278 279 280 281 282 下一页