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gan基发光二极管的可靠性研究进展

级与非辐射复合中心增加等,针对这些退化机制,采取了一些改进措施。2 退化机理 2.1 封装材料退化 早期的gan基led可靠性研究观察到光输出迅速降低的一个重要原因是由于蓝光

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00

背光驱动电路的选择策略和应用介绍

个led。对背光驱动电路的要求是: 1. 满足背光的亮度要求; 2. 整个显示屏亮度均匀(不允许有某一部分较亮、另一部分较暗的情况); 3. 亮度可以方便地调节; 4

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134117.html2011/2/20 22:54:00

si衬底gan基材料及器件的研究

、氢化物汽相外延(hvpe)[6] 等。 2.1 mocvdmocvd是一种非平衡生长技术,它依赖于源气体传输过程和随后的ⅲ族烷基化合物与ⅴ族氢化物的热裂解反应。组分和生长速率均

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如何应对新型大功率led的设计挑战

流达到0.7a。这比要求1.4vdc时驱动电流仅要20ma的标准led要高多了。 目前,二极管的冷却是机械设计和电路板布局需要考虑的主要问题。管芯温度也会影响器件的输出亮度,因为

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玩转升压调节器——预测led驱动器反馈环路

行放大以匹配1.25v的标准能隙基准电压,则当1a电流通过led时,电流感应电阻的功耗为1.25w。但其对整个控制环的影响不大。降低的rsns值大致抵消了增加的增益。对于增益asn

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白色发光二极管及其驱动电路

8mm~12nm;3)寿命长,可达5万小时;4)符合环保要求,led不含汞,5)与el背光相比,led背光不会产生于扰。因此,led背光广泛用于pc、tv、汽车音响、手机、通信设

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集成功率级led与恒流源电路一体化设计

品的可靠性和工作环境适应性。 3.2 混合集成设计 采用硅基板与铜热沉结构设计(图2),80个 led设计为10×8矩阵结构,每10个led与一组2个稳压二极管构

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led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

异的构造和型态。整套系统可分为 1.进料区 进料区可控制反应物浓度。气体反应物可用高压气体钢瓶经mfc 精密控制流量,而固态或液态原料则需使用蒸发器使进料蒸发或升华,再以h

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光纤照明和led照明的比较

隙,实现红黄绿兰橙多色发光。 8)价格:led的价格比较昂贵,相较于白炽灯,几只led的价格就可以与一只白炽灯的价格相当,而通常每组信号灯需由上300~500只二极管构成。

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led发光字的光源选择

所利用率的基础上应运而生的。以往的超薄发光标牌和超薄发光灯箱厚度大致在1.5-3.0cm之间。2004年,南京比亚公司在此基础上,独立开发了一套厚度在0.8-1.5cm之间的超薄标

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