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红外线leD及其应用

高峰值ip,就能增加红外光的发射距离。提高ip的方法,是减小脉冲占空比,即压缩脉冲的宽度t,一些彩电红外遥控器,其红外发光管的工作脉冲占空比约为1/3-1/4;一些电器产品红外遥控

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230085.html2011/7/18 23:24:00

三种leD衬底材料的比较

对于制作leD芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和leD器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底:?;蓝宝石(al2o

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00

leD的封装技术比较

纪90年代初推出“食人鱼”封装结构的 leD,并于1994年推出改进型的“snap leD”,有两种工作电流,分别为70ma和150ma,输入功率可达0.3w。接着osram公司推出

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00

leD技术标准和检测方法

及欧洲等发达国家及政府组织在leD发光方面投入大量的人力、物力组织开发和研究,使leD光源的技术水平有了大幅度的提高,功率已经达到了33w,发光效率达到301m/w,使leD光源用

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230098.html2011/7/18 23:44:00

leD芯片/器件封装缺陷的非接触检测技术

规的接触式测量几乎难以实现封装中的质量检测,非接触测量是最有希望的手段。3、非接触检测的基本原理  3.1 leD芯片的光伏特性  发光二极管leD芯片的核心是掺杂的pn结,当给它施

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00

如何为ccfl和leD背光供电

变器或具备板上调光功能的逆变器都应该采用输入旁路电容,以减少输入电压纹波。如果未采用这些电容,那么当每次逆变器功率器件开关时,产生的电流增加值将导致输入电压降低。leD驱动器电路图

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230160.html2011/7/19 0:17:00

leD照明系统设计指南完全版

本文详细讨论leD照明系统设计的六个设计步骤:(1)确定照明需求;(2)确定设计目标估计光学;(3)热和电气系统的效率;(4)计算需要的leD数量;(5)对所有的设计可能都予以考

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230161.html2011/7/19 0:18:00

提高取效率降热阻功率型leD封装技术

白光较前一种方法稳定,但驱动较复杂,另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。(3)在紫外光芯片上涂rgb荧光粉,利用紫光激发荧光粉产生三基色光混色形成白光。由于目前的紫外光芯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00

提高取效率降热阻功率型leD封装技术

白光较前一种方法稳定,但驱动较复杂,另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。(3)在紫外光芯片上涂rgb荧光粉,利用紫光激发荧光粉产生三基色光混色形成白光。由于目前的紫外光芯

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发光二极管封装结构及技术

关。若采用尖形树脂透镜,可使光集中到leD的轴线方向,相应的视角较小;如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型,其相应视角将增大。 一般情况下,leD的发光波长随温度变化为0.2-0.

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