检索首页
阿拉丁已为您找到约 2896条相关结果 (用时 0.0099429 秒)

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

2012年led路灯市场分析

约要250瓦,led只需60瓦,在使用寿命部分,高压钠灯平均约4,000小时,但led可长达5万小时。随着led路灯价格的不断下降,其竞争优势将会越来越明显。 led路灯光源使用效

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268367.html2012/3/15 21:57:45

2012年led路灯市场分析

约要250瓦,led只需60瓦,在使用寿命部分,高压钠灯平均约4,000小时,但led可长达5万小时。随着led路灯价格的不断下降,其竞争优势将会越来越明显。 led路灯光源使用效

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271145.html2012/4/10 20:57:30

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59

led光源在工程应用中的一些常识

到我们所期望的目的. 4. 温度特性 (1)led的焊接温度应在250℃以下,焊接时间控制在3~5s之间.要注意避免led温度过高从而使芯片受损. (2)led的亮度输出

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271691.html2012/4/10 23:22:23

led 组装静电防护最低要求

力大于 250v/s 。 8. 增湿 增湿器可使潮湿空气流,防止静电荷积累,此法不适;增湿后产生有害影响的场地。 9. 包装 静电敏感器件应采取保护性包装; 静电敏感器件包

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271706.html2012/4/10 23:23:29

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

led光源在工程应用中的一些常识

担的电压或电流过低则激发的led光强不够,就不能充分发挥led应有的效果,达不到我们所期望的目的.4. 温度特性(1)led的焊接温度应在250℃以下,焊接时间控制在3~5s之间

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271731.html2012/4/10 23:29:48

首页 上一页 277 278 279 280 281 282 283 284 下一页