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led行业近的重要并购事件

次并购至少为路明集团的led研发节省了10的时间。?;2005/2,元砷与联铨宣告以1股联铨换1.36股元砷合并,前者为存续公司。?;2005/8,晶电为存续公司,以1比2.24

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229951.html2011/7/17 23:30:00

外延生长技术概述

料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研制 的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994首先生产出高亮度蓝光和绿光发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led的外延片生长技术

术难度相对较大。7.开发「光子再??圈」技术日本sumitomo在19991月研制出znse材料的白光led。其技术是先在znse单晶基底上生长一层cdznse薄膜,通电后该薄膜发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00

发光二极管封装结构及技术

产。据预测,到2005国 际上led的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生

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sed显示技术

机,到90代中期实现商业化,已经过去了十几,至今我们也没有看到其对显示工业产生多大的影响。除了前期受到阴极和?偶?的制造工艺的困扰之外,还有如下的问题需要解决:(1)为了不影响电

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

子。--------------------------------------------------------------------------------[定义]mocvd(或movpe)意为金属有机化学汽相外延淀积(或金属有机汽相外延),是一种制备化合物半导体薄层单晶材料的方法。1968由manasevit提出,到80代后

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gan外延片的主要生长方法

制的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管,1998实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为

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led外延片(衬底材料)介绍

i材料,其中许多要用化合物半导体材料并入外延层中。掩埋层半导体利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离,这也是在外延加工中沉积的。目前,200 mm晶片中,外延片占1/3。2000

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我国半导体照明应用现状

景。传统信号机以双灯丝白炽灯泡为光源,灯泡寿命只有1000小时。我国政府计划未来平均每新建1700公里铁路线,至2020我国铁路线总长将达到10万公里,高可靠性、安全性及少维

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led的封装技术

测,到2005国际上led的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生产,下游

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

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