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c单晶到外延生长和器件制备的全部国产化，为国内微波大功率器件的研发奠定了基
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
行了建模比较，发现前者将外延片的生产成本降低了48%，单个led的成本也下降了10
https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00
本书一共分为四个部分：基础知识篇、外延芯片篇、封装篇、应用篇及还有一个附录介绍目前led相关专利100例
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12477.htm2007/2/8 16:48:29
本研讨会就外延及芯片技术的有关问题与国外知名企业的专家进行了直接对话，通过会议论文集可以深入了解世界先进工艺、技术进展，促进国内企业、研究机构的技术提升，从而推动我国有国际竞争
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12457.htm2007/2/8 16:02:11
led外延材料及国内芯片业的发展及其拓展
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12423.htm2007/2/8 14:07:15
文章分析了照明用半导体ｌｅｄ的外延、芯片及封装等相关技术，介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索，提出了一些具体的解决方案，并对ｌｅｄ的产业化生产进行了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29
目前应用于蓝光led、dvd雷射上的ingan，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的led材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等等
https://www.alighting.cn/resource/20061009/128941.htm2006/10/9 0:00:00
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。
https://www.alighting.cn/resource/20060314/128926.htm2006/3/14 0:00:00
gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结构
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
