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蓝光led光子晶体技术原理及制程详解

构,利用两种以上不同折射率(或介电常数)材料做周期性变化来达成光子能带的物质。所以光子晶体(photoniccrystal)被发现已将近20 年后的今天,在各领域的应用有著相当令

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/13/11117_28.htm2013/12/13 11:11:07

大功率led材料的研究进展

环氧树脂材料由于存在诸多不足,长期以来仅限于小功率led的装,而大功率led的装只能依赖国外进口的有机硅材料。通过高折射率无机氧化物的改性作用而制备的纳米改性有机硅

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 10:54:00

【特约】施丰华:不同材质led散热器散热能力研究

附件是来自南京工业大学电光源材料研究所的施丰华在2013年江苏照明学会第六次代表大会暨学术年会上所作关于主题《不同材质led散热器散热能力的研究》的演讲,欢迎下载参考!

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/13/93818_80.htm2013/12/13 9:38:18

刻蚀深度对si衬底gan基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

led及半导体装演进

最主要的目的為保護裡面的晶片以及放大電極方便電路電源或控制訊號線路之引接。一般一個晶片(chip)到我們使用產品須經三階基本的,而一階重點在晶片的保護及電極放大、二階在電

  https://www.alighting.cn/resource/20131211/125016.htm2013/12/11 12:02:47

gan基led材料特性研究及芯片结构设计

本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48

【解读】 pl技术用于led材料特性检测

pl为一快速、非接触性、非破坏性之可量测样品空间分布的量测技术,无论在产品的量产和开发上都有很好应用。因pl快速量测的特性可适应led产线上的生产速度,且以非接触与非破坏性的量测可

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/10/163051_21.htm2013/12/10 16:30:51

最新最全面的led显示屏制作方法

led 显示屏(led panel):led 就是light emitting diode ,发光二极管的英文缩写,简称led。它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式,其大概的

  https://www.alighting.cn/resource/20131127/125077.htm2013/11/27 10:09:36

蓝光led光子晶体技术原理及制程详解

旧有著光外漏及低亮度两个不易克服的困难。使得除了继续努力来解决相关的问题外,不得不再去寻求其它的材料或技术来达到散发出白光的led 技

  https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31

氧化铝及硅led集成装基板材料的热阻比较分析

基板的选择中,氧化铝(al2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料,其中氧化铝基板因是绝缘体,必须有传导热设计,藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体,但绝缘性不

  https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16

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