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制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
d 封装技术主要应满足以下两点要求： 一是封装结构要有高的取光效率， 其二且热阻要尽可能低，这佯才能保证功率led的先电性能和可靠
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125004.htm2013/12/16 11:11:10
led的高可靠性(使用 寿命超过 50，000 个小时)、较高的效率(》120 流明/瓦)以及近乎瞬时的响应能力使其成为极具吸引力的光源。与白炽灯泡 200ms 的响应时间相比，l
https://www.alighting.cn/resource/20131213/125005.htm2013/12/13 11:51:41
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在1987 年，国籍相异且分居不同地点的两位学者，eli yablonovitch 与sajeev john 几乎同一时间在理论上发现，电磁波在周期性介电质中的传播状态具有频带结
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/13/11117_28.htm2013/12/13 11:11:07
这份《led培训资料之完整版》讲义资料，详解了led的内部构造以及led灯具的应用情况，希望大家能对led有进一步的了解，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/13/11610_02.htm2013/12/13 11:06:10
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
场上最优化的方案。顺应市场发展，本文应用上海占空比半导体公司的du8613芯片，基于非隔离buck拓扑提供了一种3w球泡灯led恒流控制驱动方案，并提供了实验数据和相关波形图，并且展
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125019.htm2013/12/11 10:29:34
本文简要介绍了st开发的采用固定频率半桥拓扑驱动线性荧光灯管的创新解决方案。采用了系统芯片的方法：在同一个芯片上集成控制部分、保护电路和功率级。由于采用这种单片电路的方法，系统可
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/10/15525_28.htm2013/12/10 15:52:05
