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采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
功率型发光二极管(led)的发展迫切需要提高取光效率,基于微透镜阵列的二次光学设计是改善其取光效率的有效途径。建立了一种大功率led的封装结构,二次光学设计采用了微透镜阵列技
https://www.alighting.cn/resource/20130321/125842.htm2013/3/21 11:00:59
同类型的led管,光谱蓝白比w/b(w为整个白光发光光谱的积分,b为蓝光部分的积分)与pn结结温tj均存在线性关系,但线性关系式不同;对于同一led管,小电流对应直线斜率的绝对值比
https://www.alighting.cn/2013/3/20 11:21:05
固晶胶的粘接可靠性是制约其在smt led(表面贴装发光二极管)封装应用中的主要影响因素。分析了与固晶胶相关的smt led不良现象，讨论了引发smt失效的固晶胶的氧化腐蚀、裂
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:33:56
分析了大功率白光发光二极管(led)封装中的热问题,研究了采用sn100c无铅合金焊料进行金属化固晶的方法和工艺,有效地消除回流焊固晶时晶片底部的空洞,降低大功率led的封装热
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125860.htm2013/3/19 10:39:29
基于带有寄生参数的发光二极管(led)shockley方程,结合具有饱和特性的固态功率放大器的幅度传输模型,构建了可见光通信系统中led的双向饱和非线性模型。基于该模型,通过蒙特
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125862.htm2013/3/19 10:15:00
本文揭示了一种简单并且经济的方法。通过自组装和干法刻蚀的方法制作粗化的氧化铟锡薄膜。运用原子力显微镜(afm)对表面形态和粗糙程度进行观察。测量各个样品的i-v特性、出光功率和出光
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125863.htm2013/3/19 10:05:03
膜，对薄膜的晶体质量、位错密度，以及对材料电学光学性质进行了表征。 在此基础上，我们还在蓝宝石图形衬底上制备了发光二极管(led)器件结构，并研究了发光效率的提升机
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的gan基led的结构和工作原理，以及为改善gan基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机制
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
oled,即有机发光二极管(organiclight--emitting diode)，又称为有机电激光显示(organic electroluminesence displa
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125941.htm2013/3/7 10:54:39
