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国星光电:国星半导体已申请200多篇氮化专利

近日,国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示,硅基algan垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超高亮

  https://www.alighting.cn/news/20200226/166729.htm2020/2/26 10:53:56

用氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色[1]

与sic和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

led照明商场迎来开展机缘 稀有金属和铟或获益

d照明的需要正疾速晋升,给有关的稀有金属资料需要带来无穷机缘。led的中心资料是(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光资料。当前,根据宽禁带半导体资料氮化

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28

晶电正式跨入研发基板led磊晶技术

晶电在先进技术选择上,未进军oled,而是发展基板led磊晶。晶电指出,蓝宝石基板发展到6吋以上,基板成本垫高倍数,考量led性价比,6吋以上的基板更具成本优势,因此晶电已展

  https://www.alighting.cn/news/20120530/113584.htm2012/5/30 9:45:13

[外延芯片]movcd生长氮化物外延层的方法

一种用movcd生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法,它采用mocvd技术

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15

5s光触膜——2015神灯奖申报技术

5s光触膜,为杭州能光科技有限公司2015神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20150402/84094.htm2015/4/2 15:08:38

用氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

晶电进驻广嫁 股票有望第四季度上市

随着广董监改选的完成,广也正式成为晶电的成员。市场预期未来广在产品的研发、生产、业务、采购等各方面,都将与晶电有更进一步的整合。

  https://www.alighting.cn/news/20100907/118127.htm2010/9/7 0:00:00

led厂商隆达广本季挂牌上市

友达集团旗下的隆达及晶电集团的广等2家led厂都将在本季挂牌,隆达预计8月底挂牌,广则计划在9月挂牌。

  https://www.alighting.cn/news/2011810/n465933792.htm2011/8/10 8:35:54

led电源驱动与控制

一份出自中国照明学会led灯具设计技术高级培训班的介绍《led电源驱动与控制》,是由华润威科技(上海)有限公司的颜重光/高工整理编写的,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详情。

  https://www.alighting.cn/resource/20130314/125883.htm2013/3/14 14:00:20

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