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附件为《硅衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
作为江西省led产业龙头企业和全球硅基led技术的领导者，晶能光电积极在高新区布局硅基led产业，吸引了多家企业入区配套，形成了led产业在高新区的集聚。目前其新一轮的融资已经完
https://www.alighting.cn/news/2013513/n091151630.htm2013/5/13 13:22:36
对大功率gan基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
台湾各led厂商陆续公告2011年自结与2012年1月业绩，晶电2011年财报难有起色，璨圆，泰谷4q11亏损均告扩大，广镓虽未公告2011年获利，但4q 11营收呈现衰退，预
https://www.alighting.cn/news/20120208/114028.htm2012/2/8 10:11:44
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学gan基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
授就重点阐明了氮化物衬底led发展现状暨前
https://www.alighting.cn/news/20120716/89214.htm2012/7/16 14:07:41
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
6月12日，晶能光电(江西)有限公司新一代硅基大功率led芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28*28、35*35、45*45和55*55在内的四款硅
https://www.alighting.cn/news/2012627/n168540848.htm2012/6/27 16:58:02
