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在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
该委员会由来自led行业的多家公司组成，涵盖了hb-led器件生产、蓝宝石衬底生产、mocvd制程，及关键设备、原材料供应商。
https://www.alighting.cn/news/20101125/109997.htm2010/11/25 0:00:00
于“滤光片组立件扩产”项目、“蓝宝石长晶及深加工”项目及补充流动资
https://www.alighting.cn/news/2014731/n784264484.htm2014/7/31 10:44:42
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
5月21日，晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。
https://www.alighting.cn/news/2014522/n787062438.htm2014/5/22 12:02:41
https://www.alighting.cn/news/20140522/110824.htm2014/5/22 10:11:13
1月8日，国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技
https://www.alighting.cn/news/20160108/136207.htm2016/1/8 12:00:44
