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、全角反射镜(odr)、外延片键合、激光剥离技术(llo)、倒装技术(flip chip)、光子晶体技术(phonic crystal)、ac led技术等，最后谈论了led芯片技
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等。此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05
节，本身又耐冲击、抗振动、寿命长（10万小时）。制造led的材料不同，可以产生具有不同能量的光子，藉此可以控制led所发出光的波长，也就是光谱或顏
https://www.alighting.cn/resource/20110512/127633.htm2011/5/12 10:45:04
algainp四元系发光二极管一般使用gaas衬底，由于gaas衬底的禁带宽度比algainp窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸
https://www.alighting.cn/resource/20090903/128995.htm2009/9/3 0:00:00
最合适的led照明灯具色温范围，应该是接近太阳自然白光的色温范围才是最科学的选择；较低照射强度的自然白光，就可以达到其他非自然白光不可比拟的照射效果；最经济的路面亮度范围应该在2c
https://www.alighting.cn/resource/20081008/128822.htm2008/10/8 0:00:00
中国照明学会、韩国照明与电气学会、日本照明学会共同组织的中日韩照明科技大会，在2013年8月23日在韩国光州“韩国光子科技研究所”成功举行。此次会议由韩方主办，会议广泛讨论了包
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/29/141428_32.htm2013/8/29 14:14:28
还仅存于试验阶段或理论验证阶段，但都为最终的产业化奠定了坚实的基础。文章着重介绍目前提高ｌｅｄ外量子效率的主要途径，如倒装焊（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）、光子晶
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12302.htm2007/2/8 10:28:35
r)结构，改变led基底几何外形来改变光在led内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8相结合技术在提高led外量子光效益方面进行了初步探
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
层(dbr)结构， 改变led 基底几何外形来改变光在led 内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8 相结合技术在提高led外量子光效益方
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光子晶体技术
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
