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全球GaN芯片产能中国增长最快

GaN 芯片的产能主要集中在台湾和日本,但中国大陆和韩国产能增长迅速,也成为重要的生产区域。

  https://www.alighting.cn/news/20060831/92234.htm2006/8/31 0:00:00

GaN材的3种特性

GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。

  https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54

高效LED驱动电源设计

高效LED驱动电源设计》提供LED特性及驱动电源优缺点的概要说明。文中将介绍数种常见的电源供应应用电路,并且详细说明其闭回路设计。《高效LED驱动电源设计》亦讨论LED调光

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/29/15644_71.htm2011/7/29 15:06:44

钙钛矿LED发光效率创记录,接近100%!

校科学家将钙钛矿层整合进发光二极管(LED)内,得到的产品内部发光效率接近创纪录的100%,可与最好的有机LED(oLED)相媲美,未来有望应用于显示、照明、通信及下一代太阳能电

  https://www.alighting.cn/pingce/20181112/158993.htm2018/11/12 9:47:25

欧司朗:高效 LED 让植物茁壮成长并开花

欧司朗在丹麦的经销合作伙伴艾睿电子 (arrow) 最近与 fionia 照明公司共同完成了一项试点计划,这项计划证实了 LED 在园艺应用中具有巨大的节能潜力。

  https://www.alighting.cn/news/20100924/118914.htm2010/9/24 0:00:00

采钰科技发表8英寸晶圆级LED封装技术

记者近日特别专访采钰科技总经理暨执行长林俊吉先生、研发暨品保组织副总经理谢建成博士与事业发展二处处长曾德富先生,深入探讨晶圆级LED封装的优势以及未来LED 封装市场趋势。

  https://www.alighting.cn/news/20100917/118477.htm2010/9/17 0:00:00

mocvd生长GaNGaN:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaNGaN:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59

美团队研发高效深紫外LED,创业界最低波长纪录

美国康乃尔大学的研究团队,最新就研发出一种体积小且更环保的深紫外线LED光源,并创下目前业界deep-uv LED最低波长的纪录。

  https://www.alighting.cn/news/20170307/148759.htm2017/3/7 9:51:59

exalos成功生产GaN sLED:寿命超5000小时

瑞士半导体光源开发商exalos公司已经成功测试氮化镓(GaN)超辐射发光二极管(sLED)的寿命,在特定测试条件下,sLED寿命预计能达到5000小时以上。exalos公司表

  https://www.alighting.cn/news/20160218/137029.htm2016/2/18 10:09:47

提高应变弛豫与非极化/半极化GaN技术

应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上GaN的晶体特性和光学性能,并因此从根本上大幅提高相关高亮LED的发光效率。

  https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30

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