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2013ls:赛西-半导照明国家/行业标准制定最新进展情况

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由中国赛西(广州)实验室的周钢/检测中心主任主讲的关于介绍《半导照明国家/行业标准制定最新进展情况》讲义资料,现在分享给大家,欢迎下

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 17:23:04

2013ls:中昊-cob提升半导照明的光色质量

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由佛山市中昊光电科技有限公司的王孟源/总经理主讲的关于介绍《cob提升半导照明的光色质量》讲义资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查

  https://www.alighting.cn/resource/20130618/125502.htm2013/6/18 16:46:59

【特约】平面照明的应用及设计

半导照明、背光照明的设计:均匀性、角度控制、提高效率、轻薄、新技术

  https://www.alighting.cn/resource/2012/10/24/95733_22.htm2012/10/24 9:57:33

中村修二专利分析报告

通过本报告的分析,可以看出中村修二先生在蓝光led、半导照明及其他氮化物半导材料器件上引领着技术的发展方向,做出了一系列关键性的贡献,被誉为“蓝光之父”。因此,掌握中村修二教

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:03:09

佛山市国星光电股份有限公司关于向控股子公司提供委托贷款的公告

佛山市国星半导技术有限公司(以下简称“国星半导”)为佛山市国星光电股份有限公司(以下简称“国星光电”或“公司”)的控股子公司,因其发展需要,公司拟向国星半导提供3 亿元的委

  https://www.alighting.cn/2012/8/21 11:59:27

生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51

新材料器件进展与GaN器件封装技术研究

本文介绍了关于新材料器件进展与GaN器件封装技术研究,有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢!~

  https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38

【有奖征稿】非极性GaN薄膜及其衬底材料

一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性GaN薄膜及其衬底材料》的资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03

高亮度led的发展及应用

源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指algainp的红、橙、黄色led,GaN蓝、绿、紫和紫外线le

  https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03

mocvd生长中利用al双原子层控制和转变GaN的极性

讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一

  https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23

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