站内搜索
对“用于GaN的生产型mocvd”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型GaNmocvd设备控制系统的特点;分析了mocvd设备控制技术的发展趋势。
https://www.alighting.cn/resource/20130814/125402.htm2013/8/14 11:46:44
个制作环节的本钱，衬底尺度从当前的2英寸向4英寸、6英寸、8英寸乃至12英寸展开。进步led器材功率首要是进步外延资料的质量。首要经过：一是描绘新式的蓝宝石图形衬底，进步晶体质量和光
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/13/323399.html2013/8/13 15:08:07
单，但是要将光传感器和用不同晶体材料做成的电子器件放到同一个基面上可不是件容易的事，晶体材料中的微观结构很容易相互排斥。 当人们往传感器施压的时候，这股压力改变了通往每根纳米线上的电
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/8/13/323367.html2013/8/13 11:36:13
s unlimited)。驱动这种明显增加的重要使用领域之一是用于为薄膜晶体管(tft)液晶显示器(lcd) 供给背光照明的led。使用包含从高清晰度 (hd) tv和便携式平板个人电脑到汽车显示
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/9/323177.html2013/8/9 13:40:10
度降低缺陷密度。采用非极性衬底生长led，可作显示屏、电视、手机等背光源，没有取向性，不要外置扩散片。采用半极性、非极性蓝宝石和GaN衬底生长led的核心技术，已取得突破性进
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将 GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm，wd=3
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/8/5/322854.html2013/8/5 17:00:54
镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业运用价值的led灯资料之一。 无极灯 全球led照明疾速开展，将会股动镓和铟需要的疾速增长，也会股动越来越多的公司和自己重视铟和
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
到2015年，高亮度(hb)led的市场规模预计将达到202亿美元，自2012年算起的年复合增长率(cagr)将达到30.6%。驱动这种显著增长的重要应用领域之一是用于为薄膜晶体
https://www.alighting.cn/news/201385/n731754567.htm2013/8/5 11:12:03
s unlimited)。驱动这种显著增长的重要应用领域之一是用于为薄膜晶体管(tft) 液晶显示器(lcd) 提供背光照明的led。应用包括从高清晰度(hd) tv 和便携式平板个人电
https://www.alighting.cn/2013/8/1 10:43:04
一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
