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led技术：阿拉丁照明网资料频道提供全面的led技术资料免费下载。本文推荐的led技术资料是《GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究》。 摘要：GaN基发光二极管合成照
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高GaN基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和GaN相分离而形成的富in类量子点结构，主导着inGaN基发光二极管发光波长，体现了inGaN基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
松下电工成功开发出通过晶圆级接合，将封装有led的晶圆和配备有光传感器的晶圆合计4枚晶圆进行集成封装。该公司为了显示其晶圆级封装（wlp）的技术实力，在“第20届微机械/mems
https://www.alighting.cn/resource/20090805/128723.htm2009/8/5 0:00:00
美国加州大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现，对于以氮化钾(GaN)为主的发光二极管(led)，俄歇复合(auger recombination)是
https://www.alighting.cn/resource/20090615/128704.htm2009/6/15 0:00:00
本文根据目前半导体照明的最新研究进展，介绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程
https://www.alighting.cn/resource/200961/v19863.htm2009/6/1 9:33:11
固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠、重量轻、体积小等一系列特性。近年来，led发展突飞猛进。其中基于氮化镓GaN材料的高亮度功率型半导体照明是化合物半导体乃至整个光电子和半导体产业
https://www.alighting.cn/resource/2009518/V854.htm2009/5/18 11:06:37
一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra，日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
日本及法国研究人员最近证实，在led中利用v字型脊状结构来取代平板晶圆，能够使光提取效率提升20倍，该研究小组们已经制造出第一个借助耦合倏逝波(evanescent wave)
https://www.alighting.cn/resource/20090407/128682.htm2009/4/7 0:00:00
为了提高led芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ito芯片的led，GaN基白光led中如果用ito替代ni/au作为p型电极芯片的亮度要比采
https://www.alighting.cn/resource/20090224/128667.htm2009/2/24 0:00:00
