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近日中国大陆传出官方将推出集成电路产业扶持政策，每年提供人民币千亿，预计以十年兆元的规模推动包括半导体设计、制造、封装、测试、核心机器设备及材料等关键次产业的发展。
https://www.alighting.cn/news/20140114/98543.htm2014/1/14 9:17:30
高功率led封装厂台湾半导体照明公司(tslc)2013年12月30日举行新厂落成仪式，tslc传承前身高功率led封装厂采钰的晶圆级led硅基及氮化铝封装技术，让led封装元
https://www.alighting.cn/news/20140109/111360.htm2014/1/9 9:44:12
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
“无封装”技术并不是省去了整个封装环节，只是省去了一道金线封装的工艺而已，仍是众多的封装形式之一。“无封装”技术跟传统的封装有一些差异，是在晶片工艺的基础上做了一些封装的动作，把封
https://www.alighting.cn/news/20131221/87935.htm2013/12/21 22:56:47
近几年来，硅衬底GaN基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，GaN/si基器件成为一个研究热点。然而, GaN与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸为
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
封裝最主要的目的為保護裡面的晶片以及放大電極方便電路電源或控制訊號線路之引接。一般一個晶片(chip)到我們使用產品須經三階基本的封裝，而一階重點在晶片的保護及電極放大、二階在電路
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125016.htm2013/12/11 12:02:47
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
