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http://blog.alighting.cn/ks2636/archive/2010/11/24/116201.html2010/11/24 15:15:00
是开发蓝光led时，碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114812.html2010/11/17 22:48:00
司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109110.html2010/10/20 15:39:00
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/10/18/108682.html2010/10/18 15:21:00
鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目前最新的工艺是用混合
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106910.html2010/10/15 15:04:00
色的光源。 1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石（yag）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λ p =465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含c
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106903.html2010/10/15 14:58:00
米(mm) 凿孔深度 rock drill hole depth 5 米(m) 纤尾尺寸 shank size 22�108 毫米(m
http://blog.alighting.cn/dongyagk200910/archive/2010/9/26/99774.html2010/9/26 14:29:00
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98280.html2010/9/19 21:47:00
下： led产业链投资规模估算 产业链节点 产品类别 投资规模 上游（外延片） GaN基外延片 1亿元以上 四元外延片 6000万元以上 中游（芯片） 蓝绿芯片 5000万元以上 红
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/12/96437.html2010/9/12 20:51:00
