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近年来，以cob（chip on board）方式封装的led器件以其特有的优势发展迅速。这种集成封装工艺已经拓展出包括mcob、mlcob、cof、commb等多种形式，无论是
https://www.alighting.cn/resource/20130917/125316.htm2013/9/17 10:19:35
如何提高大功率led的散热能力,是led器件封装和器件应用设计要解决的核心问题。本文详细分析了国内外大功率led散热封装技术的研究现状,总结了其发展趋势并提出减少内部热沉可能是今
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125822.htm2013/3/25 12:01:36
当oled显示器件成为主流时，设计工程师也面临着显示技术进步的压力。有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)器件正逐渐进入主流显示市
https://www.alighting.cn/2012/12/30 10:22:24
新型功率mosfet系列器件整合了强大的体二极管性能和快速开关性能，可在谐振转换器应用实现更高的可靠性和更高的效率。由于减少了栅极电荷和输出电容中存储的能量，因此降低了驱动损耗并
https://www.alighting.cn/2012/3/22 13:32:58
具有垂直结构的发光二极管(led)在固态照明产品应用中是非常有前景的一种器件，因为它们可以承受大的驱动电流来提供高的光输出强度。制造这种形式的led 需要采用晶圆- 晶圆间的键
https://www.alighting.cn/resource/20111202/126822.htm2011/12/2 17:59:24
通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127395.htm2011/7/26 11:57:10
大功率led器件的封装方法和封装材料并不能简单地套用传统的小功率led器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率、大的发热量以及高的出光效率，给led封装工艺、封装设备和封装材料提
https://www.alighting.cn/resource/20110518/127595.htm2011/5/18 11:46:19
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
研究发现，在合适应力下，外量子效率可提高两倍以上，达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起，而不是由非极性的压阻和接触效应引
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
