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x100 mm(4英寸)及未来的6x150 mm(6英寸)SiC晶
https://www.alighting.cn/news/20071116/116980.htm2007/11/16 0:00:00
继美国cree之后的第二大SiC底板厂商何时出现?这是SiC半导体市场形成的关键”——众多SiC半导体的组件技术人员都这么认为。因为只要cree独霸市场的状态持续，底板价格就很
https://www.alighting.cn/news/20071024/120265.htm2007/10/24 0:00:00
美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（SiC）与氮化镓（gan）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/news/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
https://www.alighting.cn/resource/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
2007年10月15日，cree宣布推出零微管(zmptm)100mm(4英寸)、n型SiC衬底，凭借这一成果，cree加强了其在全球SiC基半导体材料市场领先制造商的地位。si
https://www.alighting.cn/news/20071016/121232.htm2007/10/16 0:00:00
led芯片大厂美国cree公司在14-15日在日经电子和日经微器件共同举办的led技术研讨会2007上，介绍了在SiC底板上形成的蓝色led的开发状况，并展示了开发中的蓝色le
https://www.alighting.cn/news/20070620/105925.htm2007/6/20 0:00:00
美国cree公司在2007年6月14～15日“日经电子”和“日经微器件”共同举办的“led技术研讨会2007”上，介绍了SiC底板上形成的蓝色led的开发状况。
https://www.alighting.cn/news/20070620/121161.htm2007/6/20 0:00:00
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的SiC衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
