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入内置的闪存中。单片机内部的2kb sram作为缓存区，每当单片机要向fpga中写一屏新的数据时，先按特定的地址从闪存中读出数据并存放到sram中，再将sram中的数据并行写到fgg
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230349.html2011/7/20 0:22:00
大低于内部加热的衬底温度，使热管壁反应消耗降低。mocvd方法的生长速率适中，可以比较精确地控制膜厚，特别适合于leds和lds的大规模工业化生产，目前已经成为使用最多、生长材料和器
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
制，可在形状复杂的基材衬底上形成均匀镀膜，结构密致，附着力良好之优点，因此ｍｏｃｖｄ已经成为工业界主要的镀膜技术。ｍｏｃｖｄ制程依用途不同，制程设备也有相异的构造和型态。整套系
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
n结构成的。高亮度led与标准led的差别在于它们的输出功率。传统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。图1显示了hi-led内部电压与电流的典型关
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230337.html2011/7/20 0:14:00
框和焊接线相同的平面中。然后使用一层透明的硅树脂，以近似圆屋顶形覆盖led和ic。硅树脂提供了光导能力。为防止光逸出，在透明硅树脂上使用了另一层白漆。因此，来自led的光会在圆屋顶内
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230335.html2011/7/20 0:13:00
下，内部的bcd-8段译码器自动地将内部的bcd代码译成led段数据，并且自动、动态循环地驱动led工作。口线p1．3，p1．4分别为键盘低8位和高8位的行线，2个行线分别接与门g5的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230333.html2011/7/20 0:12:00
s型led，hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片，其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230331.html2011/7/20 0:11:00
们还在利用一种电“可操纵”型高电流led阵列来开发车前灯，而该领域一直是被卤素/氙灯丝设计所把持的。几乎所有的汽车照明应用（包括车身内部/外部照明和背光照明应用）都将逐步过渡为采
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230328.html2011/7/20 0:10:00
件通过内部互联网络进行互联，由master来发起每次与slave之间的数据传输。从设备只能响应总线周期。它只定义了一种总线结构--高速总线。如果是一个低速外部设备连接到总线上，则主设
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