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  http://blog.alighting.cn/h9hong/archive/2011/5/13/178385.html2011/5/13 9:23:00

政府“后援” LED产业期待突围

在“国家半导体照明工程”的大背景推动下,我国的LED产业已初步形成了包括LED外延片的生产、LED芯片的制备、LED芯片的封装以及LED产品应用在内的较为完整的产业链。

  https://www.alighting.cn/news/20111223/99895.htm2011/12/23 11:03:27

华上成为aix 首批客户

华上在台湾桃园内先进的洁净室中,用于量产algainp超高亮红/橙/黄le

  https://www.alighting.cn/news/20071122/117241.htm2007/11/22 0:00:00

LED芯片简介

关于《LED芯片简介》的技术资料,仅供参考。

  https://www.alighting.cn/2013/2/21 14:00:14

驱动电源是LED工程亮化中的一个软肋

LED驱动电源贯穿整个LED产业链的发展,可以比喻为保持LED产业顺利发展的血液,缺少了LED电源环节,上中下游的发展将短路、缓慢,无法实现高速的飞跃,因此,在中国LED产业

  https://www.alighting.cn/resource/20080910/128615.htm2008/9/10 0:00:00

德国裁定台湾LED商侵犯欧司朗专利

在欧司朗与台湾LED厂商今台电子之间的专利纠纷中,德国杜塞尔多夫市地方法院几乎支持前者的全部主张。该法院裁定,今台电子侵犯了osram的专利和实用新型权利。

  https://www.alighting.cn/news/20071114/V2717.htm2007/11/14 10:27:13

国家发改委2011年高效照明产品推广成果报告召开

近日,国家发改委“逐步淘汰白炽灯,加快推广节能灯”项目办副主任吕芳女士在北京召开的2012年中国照明论坛上作了有关《国家发改委2011年高效照明产品推广成果报告》。

  https://www.alighting.cn/news/201237/n073337992.htm2012/3/7 9:07:16

“绿色照明与低碳技术”科技研讨会通知

中国照明学会定于9月15-17日与有关单位合作,在北京组织召开“绿色照明与低碳技术”科技研讨会。此次会议的主题是“实施绿色照明,为实现低碳发展做贡献”。

  https://www.alighting.cn/news/2010827/V24958.htm2010/8/27 15:36:53

LED外延结构的内量子效率的提高方法

低,另外,载流子在GaN的扩散长度很短,如果位错间的平均距离大于扩散长度,特别是空穴的扩散长度,那么位错上的非辐射复合就不严重。另外一种解释是,inGaN之所以具有高效率是因为化合

  http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11

mocvd制备in_xga_(1-x)n/GaN mqws的温度依赖性

利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验,

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39

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