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果需要产生350毫安的恒定电流，您将需要：r=v/i，此时r=(5v-3.0v)/350ma=5.7ω。 可以看到，采用这些值，r将消耗r×i2即0.7瓦(几
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
5），用于把汽车总线电压（标称值为12v）降至一个更加合适的led电压，根据应用的led彩色和亮度要求的不同，该led电压的变化范围可在2.68v至4.88v（每个led）之间。与
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134094.html2011/2/20 22:17:00
构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
衡方程进行新一轮计算，直到满足计算精度为止。 2计算结果和分析 本文以直径为10cm的圆形单晶硅太阳电池为例，对不同串联内阻和换热系数下的太阳电池输出特性和工作温度进行了数
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
有稳定的可编程性,这使得软件控制下硬件的改变不受器件的影响。 1.2 isp lsi简介 lattice 公司研制的在系统可编程大规模集成电路(isplsi)系列芯片具
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134093.html2011/2/20 22:15:00
d clad silica）光纤是最好选择，它们均属于阶跃折射率的多模光纤。 1mm pof的典型损耗值在650nm波长时为0.2db／m，而200μm hcs光纤在650mm波长典
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1(1c1)的p1．0～p1．4低5位口线和外部中断intl上实现键盘输入和led显示器的扩展，其他口线全部留给用户使用。p1．0，p1．1分别为键盘扩展芯片74lsl64(1c
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与工艺制造。该显示器像素尺寸为0．35×0．28(mm)，像素密度达10．21个／mm2。要求封装的成品电路具有气密性，且led阵列（显示屏）部位对不同波长（λ）的白光透光率（τ）
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式和材质选用就相当关键。 传统砲弹型封装，以插件式运用，广泛运在家电或是通讯产品的指示灯，常看到的颜色多为红、黄、绿色光等，但因为大部分led产生的热只能藉由2根导线，往组装的基
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先，对于单片太阳能电池来说，它是一个pn结，除了当太阳光照射在上面时，它能够产生电能外，它还具有pn结的一切特性。在标准光照条件下，它的额定输出电压为0.48v。在太阳能照明灯具使用
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