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白光led照明时代来临日本发表量测标准

5度内、光度变化不超过,以色坐标x,y的色度变化在±0.003之内。这个规范也考虑了初期发光的不稳定性,因为,led的特性会随着温度与输入电流而出现变化,所以规定了待测样品必须经

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229913.html2011/7/17 23:10:00

超高亮led的驱动芯片mlx10801的功能和应用

有许多优点,但目前仍存在下述缺点:1)功率低市面上的单体led功率一般在5w以下,还没有出现更大功率的led,这是目前led难以成为照明首选的最大瓶颈;2)需要严格控制温度 le

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230081.html2011/7/18 23:23:00

基于ez-color控制器的高亮led照明混色方案

过,由于led本身属于半导体器件的特性,使得led照明设计时需面临两大挑战——同种颜色的led具有多种型号规格以及led的性能随温度而降低的特性。这就要求照明工程师在进行led照明混

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230300.html2011/7/19 23:51:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

温度和极佳的方向性才能顺利的沉积在ingan的表面。但要如何来设计适当的mocvd机台为一首要的问题而解决此问题须要考虑下列因素:1要能克服gan 成长所须的高温2要能避

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00

gan基发光二极管的可靠性研究进展

射复合中心增加等,针对这些退化机制,采取了一些改进措施。2 退化机理2.1 封装材料退化早期的gan基led可靠性研究观察到光输出迅速降低的一个重要原因是由于蓝光与紫外线辐射和温度

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00

si衬底gan基材料及器件的研究

术,它依赖于源气体传输过程和随后的ⅲ族烷基化合物与ⅴ族氢化物的热裂解反应。组分和生长速率均由各种不同成分的气流和精确控制的源流量所决定。mocvd的一个重要的特征是反应管壁的温度

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00

高亮度高纯度白光led封装技术研究

粉均匀地涂敷在芯片的周围。对于这样的产品,实验已证明,电流和温度的增加会使led的光谱发生蓝移和红移,但对荧光光谱影响并不大。寿命试验结果也较好,φ5的白光led在工作1.2×10

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00

利用电流监测器实现简单高效的电流测量解决方案

元的电压在单元放电期间会不断变化,并且高度依赖于单元温度、放电率以及单元充电时的温度。只使用电池电压作为电池容量的测量依据会使事情变得更糟,因为当负载电流急剧增加时会导致电池有效内

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230495.html2011/7/20 23:19:00

pp艺术吸顶灯系列

率:1.0-2.5% 成型温度:160-220℃ 特点: 无毒、无味,密度小,强度刚度,硬度耐热性均优于低压聚乙烯,可在100度左右使用。具有良好的电性能和高频绝缘性不受湿 度影

  http://blog.alighting.cn/scled168/archive/2011/7/21/230584.html2011/7/21 21:11:00

二氧化碳传感器,红外二氧化碳传感器

a 量程: 0~2000,5000,10000,50000ppm可定制精度: ± 50 ppm +读数的3%fs温度漂移: ±0.2fs/℃稳定性:漂移2% (15年)重复性: 漂

  http://blog.alighting.cn/wuxianlian/archive/2011/7/25/230747.html2011/7/25 15:31:00

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