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.0v±10 % +30v.....+60v+10 % ri发生器内阻2ω,4ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2m

http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46193.html2010/5/26 13:09:00

.0v±10 % +30v.....+60v+10 % ri发生器内阻2ω,4ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2m

http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46192.html2010/5/26 13:07:00

0ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2ms ±10% tr脉冲前沿时间 0.5-1μs(2ω),0.5-1μs(10ω),1.

http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46188.html2010/5/26 11:54:00

0ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2ms ±10% tr脉冲前沿时间 0.5-1μs(2ω),0.5-1μs(10ω),1.

http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46189.html2010/5/26 11:54:00

± 10 % +30v.....+60v+10 % ri发生器内阻 2ω,4ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2ms

http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46187.html2010/5/26 11:53:00

ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2ms ±10% tr脉冲前沿时间 0.5-1μs(2ω),0.5-1μs(10ω),

http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46186.html2010/5/26 11:52:00

ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2ms ±10% tr脉冲前沿时间 0.5-1μs(2ω),0.5-1μs(10ω),

http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46185.html2010/5/26 11:50:00

4ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2ms ±10% tr脉冲前沿时间 0.5-1μs(2ω),0.5-1μs(10

http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46184.html2010/5/26 11:49:00

向瞬变电压vc，如图4。线圈初始储能越大，关断速度越快，瞬变过电压就越高。实测结果，一般va为-100v～300v；is为0.2s～0.5s。这种类型的干扰虽然不具有连续

http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46158.html2010/5/26 10:07:00

等 75 种元素 â 元素含量分析范围: 2ppm-99.99% â 测量时间: 100-300s (可调) â 七种光路校正系统，由软件自动控制 â 三重安全保护模式欢

http://blog.alighting.cn/sully518/archive/2010/5/26/46150.html2010/5/26 9:44:00