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持恒定的电流。该典型电路配置如图1所示。图1 典型的脉宽调制控制器，用以产生恒定的电流图1中，r1采样流经D1 的电流。其结果电压将在脉宽调制控制器中与一个基准电压进行比较，以确保开
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258598.html2011/12/19 11:02:13
v背光源，颇有逐步取代ccfl背光源的架势。主要是leD在色彩、亮度、寿命、耗电度及环保诉求等均比传统冷阴极管（ccfl）更具优势，因而吸引业者积极投入。 早期单芯片le D的功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258595.html2011/12/19 11:02:07
为1，即置行移位寄存器的D为高电平，str使能（所有4094的oe 引脚接＋5v电平），从而使列移位寄存器中的数据同时并行输出以选通该行。经延时一段时间后再进行下一行点阵数据的显
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258592.html2011/12/19 11:02:01
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258588.html2011/12/19 11:01:42
源电压以及在每个leD中产生所需的“接通电流”(根据需要可以有所不同)进行设计。设计参数为：v1=D1的关断电压(D1无可见光时的最坏情况最大电压)v2=D2的关断电压(D2无可见光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258583.html2011/12/19 11:01:30
c595的控制信号和4组串行移位寄存器的输入以及行扫描控制信号a，b，c，D构成整个leD单元板的输入。74hc595的控制信号经驱动后和4组串行移位寄存器的输出以及行经过驱动的扫
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258576.html2011/12/19 11:01:12
寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~600n
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258564.html2011/12/19 11:00:39
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258563.html2011/12/19 11:00:36
素尺寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~60
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258553.html2011/12/19 10:59:24
板显示器的封装结构设计与工艺制造。该显示器像素尺寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258549.html2011/12/19 10:59:12
