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用的led质量指标,cie publication no.127-1997给予了明确的规定和描述,图4明确表达了基本的测量方法,图5为基于cie publication no.127的测
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长的外延技术主要有金属有机物化学汽相淀积(mocvd)[3,4]、分子束外延(mbe)[5]、氢化物汽相外延(hvpe)[6] 等。2.1 mocvdmocvd是一种非平衡生长技
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论上具有与传统光源相比更高的发光效率,理论上led的发光效率大于200lm/w,从而具有相当巨大的节能潜力。(5)寿命更长,实验室寿命可达100000h,且光源可以频繁地亮灭,而
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计 经过多年的发展,垂直led灯(φ3mm、φ5mm)和smd灯(表面贴装led)已演变成一种标准产品模式。但随着芯片的发展及需要,开拓出切合大功率的封装产品设计,为了利用自动化组
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部的正向压降(vf)。vf随着白光led电流值的不同而不同,也会随着温度的变化而变化。一般情况下,在整个工作温度范围内,20ma白光led的vf在2.5v至3.9v的范围内变化。大多
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度 400c 范围内可以输入相当于 1.5
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粉均匀地涂敷在芯片的周围。对于这样的产品,实验已证明,电流和温度的增加会使led的光谱发生蓝移和红移,但对荧光光谱影响并不大。寿命试验结果也较好,φ5的白光led在工作1.2×10
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v。此外,用户可以通过一个范围为1.2-5v的电阻分压器对嵌入在显示器电源管理器件中的每个ldo的输出电压进行编程,从而可以满足范围很广的应用要求。为了简化设计,一路控制信号可以控
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为1,即置行移位寄存器的d为高电平,str使能(所有4094的oe 引脚接+5v电平),从而使列移位寄存器中的数据同时并行输出以选通该行。经延时一段时间后再进行下一行点阵数据的显
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