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封材料，应用要求提高leD的内、外部量子效率。常规φ5mm型leD封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230306.html2011/7/19 23:56:00
偿和箝位电路。使用者只需要提供一个+3．3v电源、模拟输入、hsync信号。三态cmos输出可由2．5v-3．3v电源提供。 aD9884a的pll锁相环路从hsync信号输入产生一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230310.html2011/7/19 23:59:00
z； 显示屏无可觉察的色差，全屏各基色色差小于4nm； 显示屏无可觉察的亮度差，相邻象素亮度差小于5％，显示红、绿、蓝单色灰度画面时，没有可觉察的马赛克现象； mtbf大于5000小
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230312.html2011/7/20 0:00:00
压和升流调节器来说，下面的数值是一样的：占空比(vD是输出二极管压降，典型值为0.5v)esr零点采样双极品质因数固有的电感电流斜率斜率补偿(vm是控制器ic的参数；fsw是开关频
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230327.html2011/7/20 0:10:00
用要求提高leD的内、外部量子效率。常规φ5mm型leD封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
用的leD质量指标，cie publication no.127-1997给予了明确的规定和描述，图4明确表达了基本的测量方法，图5为基于cie publication no.127的测
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230343.html2011/7/20 0:18:00
长的外延技术主要有金属有机物化学汽相淀积（mocvD）[3，4]、分子束外延（mbe）[5]、氢化物汽相外延（hvpe）[6] 等。2.1 mocvDmocvD是一种非平衡生长技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
论上具有与传统光源相比更高的发光效率，理论上ｌｅｄ的发光效率大于２００ｌｍ/ｗ，从而具有相当巨大的节能潜力。（5）寿命更长，实验室寿命可达１０００００h，且光源可以频繁地亮灭，而
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230472.html2011/7/20 23:07:00
计 经过多年的发展，垂直leD灯（φ3mm、φ5mm）和smD灯（表面贴装leD）已演变成一种标准产品模式。但随着芯片的发展及需要，开拓出切合大功率的封装产品设计，为了利用自动化组
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部的正向压降(vf)。vf随着白光leD电流值的不同而不同，也会随着温度的变化而变化。一般情况下，在整个工作温度范围内，20ma白光leD的vf在2.5v至3.9v的范围内变化。大多
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