检索首页
阿拉丁已为您找到约 6815条相关结果 (用时 0.0120709 秒)

2010年中东未来能源展/中东太阳能展

源的研究和推广使用方面采取了一系列切实可行的步骤。阿布扎布政府宣布投入150亿美元资金,发展太阳能、风力及水力发电、碳化物减排及管理、永续发展方案、教育、制造业及研究与发展项目,从

  http://blog.alighting.cn/cec005/archive/2009/12/15/21541.html2009/12/15 9:25:00

2008—2009年球主要芯片生产商分析

值。  科锐的市场优势关键来源于公司在有氮化镓(gan)的碳化硅(sic)方面上独一的材料专长知识,来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率,同时比

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/3/1/34577.html2010/3/1 13:10:00

led灯与普通照明灯的区别

生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(sic)裸片材料的led效率大约是0.04流明/ 瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。9

  http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00

国内企业做led要小心专利陷阱

岷:同方2005年就开始布局led产业。 led横向产业链主要包括,天富热电等出产的碳化硅基板,做成led外延片,切成芯片,封装,做成灯具等。同方目前涉及的环节是外延片、芯片

  http://blog.alighting.cn/hnqunying/archive/2010/5/31/47004.html2010/5/31 14:36:00

[原创]中国半导体照明行业市场竞争格局研究

司在有氮化镓(gan)的碳化硅(sic)方面上独一的材料专长知识,来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率,同时比别的现有技术,材料及产品放热更

  http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

式的led封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,从而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此,对于大工作电

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan视窗和掩膜层

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00

首页 上一页 283 284 285 286 287 288 289 290 下一页