站内搜索
即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
出的一种制备化合物半导体薄层单晶膜的方法。mocvd已有近30年的应用历史,其性能已经得到不断改进和完善。mocvd近年来取得的最大进步是运用流体力学的原理实现生长过程中的基片旋
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
件事情,因为一旦技术获得突破,外延生长成本和器件加工成本将大幅度下降。si片作为gan材料的衬底有许多优点,如晶体质量高,尺寸大,成本低,易加工,良好的导电性、导热性和热稳定性等。然
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
品。(4)小尺寸LCD背光源国内小尺寸(7寸以下)背光源市场约20亿元。led已在手机、mp3、mp4、dc/dv及pda等小尺寸LCD面板领域取得了成熟广泛的应用与普及。随着彩
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00
亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
面是关于led未来晶圆技术的一些发展趋势。1.改进两步法生长制程目前商业化生产采用的是两步生长制程,但一次可装入衬底数有限,6片机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
展,利用氮掺杂工艺使gaasp器件的效率达到了1流明/瓦,并且能够发出红光、橙光和黄色光。到1971,业界又推出了具有相同效率的gap绿色裸片led。1972年开始有少量led显示
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
式led的主要材料之一。每个新的片式led产品的开发都是从设计pcb板图纸开始的,在设计时应给出pcb正反面图形及片式led装配图和成品图,再把设计好的pcb板图纸给专业生产片le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229926.html2011/7/17 23:19:00
