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明的需求分析,在以下技术领域将最有可能取得突破,带动产业进入又一波发展高潮。 mocvd设备工业化；高质量、低成本的SiC单晶生长；蓝宝石衬底上外延紫外led ；si衬
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
合led、大功率高亮度led，导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，为行业之最。 led芯片至封装体的热传导：采用胶体来把热量传导出去，对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电
http://blog.alighting.cn/ufuture/archive/2009/12/19/21822.html2009/12/19 11:59:00
則會成磊晶層彎曲或破裂，使發光二極體晶粒製程不易切割或曝光，造成產品良率下降。 目前發光二極體常用的基板有gaas基板、gap基板、藍寶石(sapphire)基板及碳化矽(si
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
司在有氮化镓（gan）的碳化硅（SiC）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更
http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00
将SiC基板的端面倾斜放置，接着制作凹凸状电极，藉此改变光线的入射角，达到抑制光线反射的效果，该公司计划未来将组件上下反转进行flip chip连接，同时在发光层设置mirror使光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
类是美国cree公司为代表的SiC衬底。传统的蓝宝石衬底gan芯片结构，电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分p-gan层和"发光"层被刻蚀，以便与下面的n-gan层形成电接
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
用纯净的碳化硅(SiC)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化镓基料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00
此增加光反射后的散射角度,进而使取光率提升。或如德国欧司朗(osram)使用SiC材料的基板,并将基板设计成斜面,也有助于增加反射,或加入银质、铝质的金属镜射层。▲亮度提升的le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
一、前言gan材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SiC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代ge、si半导
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
