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系。实验结果表明,功率在0～0.11 w 的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11 w 时,发光效率为15.6 lm/w; 当功率大于0.11 w 时,发光效率随功率增加开
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光模块的1/3～1/2左右，换句话说今后除了必需提高led本身的发光效率之外，也必需设法改善led背光模块的单位瓦特发光流明数(图3)。 图3 led背光模块的单位瓦特发光流明数
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常抗静电大于700v的led才能用于led灯饰。 3、波长 波长一致的led，颜色一致，如要求颜色一致，则价格高。没有led分光分色仪的生产商很难生产色彩纯正的产品。 4、漏电电
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4lm/w，荧光灯50～70lm/w），而且其光的单色性好、光谱窄，无需过滤可直接发出有色可见光。 2、耗电量少 led单体功率0.03～0.06w，采用直流或脉冲直流驱动，单
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a公司垄断，而且这种方案的一个原理性的缺点就是该荧光体中ce3+离子的发射光谱不具连续光谱特性，显色性较差，难以满足低色温照明的要求，同时发光效率还不够高，需要通过开发新型的高效荧光
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量；(3)降低封装材料的线膨胀系数。但是当采用上述方法(1)、(2)时，在降低玻璃化温度的同时，也降低了封装材料的耐热性，最后的结果是封装器件的可靠性也降低了。比较而言，方法(3)是比
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物红色荧光粉的发射光谱。在不同的铕含量下，发射光谱的形状和发射峰位置几乎没有变化。但发射强度随着铕含量的增加，先增强后减弱，最强发射时铕含量为0.1%左右。图2为这些荧光粉的激发光
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d指示灯 上一世纪60年代初期用化合物半导体制成led的问世，使晶体管电子仪器、电气设备中白炽指示灯泡开始被红色、黄色、黄绿色的led灯所取代。白炽指示灯泡的功耗一般为6.3v×
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效提高器件的可靠性。 2.3 p型欧姆接触退化 在gan基led失效分析过程，对比器件退化前后的i－v特性[14]（图2）发现，已退化器件的寄生串联电阻增加使得相同电压偏置下的正向电
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号，所以消除了电磁干扰 (emi) 的影响。tps7510x 采用超小型 9 焊球 0.4mm 焊球间距芯片级封装 (wcsp) 与 3mm × 3mm qfn 两种封装版本，这种非
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