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9w/mk,同时其厚度等于20μm时,rθattach等于0.026(k/w),即使其厚度为100μm,rθattach也只等于0.131(k/w);当选用热沉粘接胶ablefil
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
计,这样一来lcd的厚度就能做到更薄,同时还拥有更高的可靠性和稳定性。 其次,在发光寿命方面,led背光技术则超越了ccfl,是ccfl技术的提升。普通的ccfl背光的寿命基本在3万
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120873.html2010/12/14 21:48:00
" border=0而芯片温度的升高,则会增强非辐射复合,进一步消弱发光效率。因为,人们主观上认为大功率led没有热量,事实上确有。大量的热,以至于在使用过程中发生问题。加上很多初次使
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120869.html2010/12/14 21:47:00
区电压或阈值电压。由于硅二极管的is远小于锗二极管的is,所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5v~0.6v, 锗二极管的门限电压约为0.
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120870.html2010/12/14 21:47:00
2.54mm。 c、2004杯/平头:用来做φ3左右的lamp,pin长及间距同2003支架。 d、2004ld/dd:用来做蓝、白、纯绿、紫色的lamp,可焊双线,杯较
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120871.html2010/12/14 21:47:00
色坐标值和色温光源点 x坐标 y坐标 色温(k)a 0.4476 0.4074 2854b 0.3484 0.3516 4800c 0.3101 0.3162 6800d65 0
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120865.html2010/12/14 21:46:00
d温度的升高而下降,所以led的散热非常重要。电源的效率高,它的耗损功率小,在灯具内发热量就小,也就降低了灯具的溫升。对延缓led的光衰有利。 3.高功率因素 功率因素是电网对负
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120866.html2010/12/14 21:46:00
led焊接条件 (1)、烙铁焊接:烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃;焊接时间不超过3秒;焊接位置至少离胶体4毫米。 (2)、浸焊:浸焊最高温度260℃;浸焊时间不超
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与 led测试有关的标准有: ( 1) sj2353.3-83半导体发光二极管测试方法 ( 2) sj2658-86 半导体红外发光二极管测试方法 ( 3)gb/t12561
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该浪涌电流的大小与pvin和led串电压之间的差异有关——电压差越大,则浪涌电流越大。例如:在图1中,对于一个24v输入和3-led配置,测得的峰值浪涌电流为1.2a。 如果担心浪
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