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长在蓝宝石或sic衬底上，但是这两种衬底部都比较昂贵，尤其是碳化硅，而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点，人们在用硅作衬底生长gan方面一直不断地进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此，对于大工作电流的功率型led芯片，低
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
片的发展 目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。无论是面向重点照明和整体照明的高功
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00
y joseph第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现
http://blog.alighting.cn/cdmingda/archive/2011/4/12/165066.html2011/4/12 21:06:00
电的多少，与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。 而碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石
http://blog.alighting.cn/kenvou/archive/2011/4/25/167160.html2011/4/25 16:48:00
料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。而碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的esd值就更
http://blog.alighting.cn/szknled/archive/2011/5/5/175375.html2011/5/5 19:51:00
http://blog.alighting.cn/surpius/archive/2011/5/12/178216.html2011/5/12 8:29:00
少，与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。 而碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179123.html2011/5/17 16:54:00
断研发产生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(sic)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦，发出的光强度很少有超过15毫堪(millicande
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179868.html2011/5/20 0:30:00
极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179994.html2011/5/20 22:35:00
