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「研究报告」2009年中国台湾省重点led路企业战略布局研究

w)。但是采用的光源(lightsource)多半为国外大厂(如osram、Cree、nichia等)的led组件才能够达到目前标准。  而在贸易保护主义有可能复苏的隐忧下,可以预

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34521.html2010/2/27 15:41:00

「行业监测」led专利最新态势及我国应对策略分析

国的lumileds、Cree,德国的osram公司等。这些公司利用各自的核心专利,采取横向(同时进入多个国家)和纵向(不断完善设计,进行后续申请)扩展方式,在全世界范围内布置了严

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34524.html2010/2/27 15:45:00

广东绿色产业投资基金企业筛选工作接近尾声

锐(Cree)等五大厂商垄断。   量子光电总经理刘镇对此直言不讳,其认为路是一种应用产品,关键部件芯片、封装与电源等多需要从国外进口,上游意即利润高端,“250亿基金的背后,事

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/1/39243.html2010/4/1 14:23:00

国内最具实力的led显示屏生产厂家-东莞远见光电科技有限公司

术企业,得到了政府的高度重视和支持。依托自身雄厚实力携手国际知名企业美国Cree、台湾光磊等led显示屏原材料供应商、销售商建立战略联盟合作伙伴,充分实现了现代企业的资源共享、分工合

  http://blog.alighting.cn/megoled/archive/2010/7/21/56987.html2010/7/21 15:12:00

led照明设计全析

化;封装形式多样;有利增强国产led竞争力。从去年深圳《电源网》交流会提出以来,接受这一架构的只有成功,没有失败!   七、封装结构‘绑架’了我们光学效果设计   这是Cree

  http://blog.alighting.cn/xinglei/archive/2010/8/20/91604.html2010/8/20 8:30:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

三种led衬底材料的比较

向流动,因此增大了led的发光面积,从而提高了led的出光效率。因为硅是热的良导体,所以器件的导热性能可以明显改善,从而延长了器件的寿命。   碳化硅衬底 碳化硅衬底(美国的cre

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00

硅衬底led芯片主要制造工艺

底gan基led制造技术受到业界的普遍关注。   目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术,美国Cree公司垄断了sic衬底上gan基led专利技术。因此,研

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

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