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[原创]中国国际led显示及半导体照明展

光电、帝光、深超光电、Cree、九洲、洲明、联建光电、艾比森、国冶星等国际巨头企业已确定超大面积展出最新产品与技术。 code & ctvf重要活动 部省市共同打

  http://blog.alighting.cn/sichuan-led/archive/2011/5/19/179610.html2011/5/19 0:10:00

led照明设计过程中关键问题全析

低一次性封装成本;分散的封装形式有利于减低散热设计成本;选择国产的铝基pcb板材;便于光学设计;电源设计简化;封装形式多样;有利增强国产led竞争力。   这是Cree、nichi

  http://blog.alighting.cn/lighting-design/archive/2011/5/22/180081.html2011/5/22 7:57:00

大功率照明级led的封装技术

底切除,再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤ algainn碳化硅(sic)背面出光法。美国Cree公司是全球唯一采用sic衬底制造algain

  http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00

led具关键设计问题全面分析

力。!   七、封装结构‘绑架’了我们光学效果设计   这是Cree、nichia、lumileds、osram 具有代表性的几款封装。要设计产品,首先要确定用谁的led封装结

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222098.html2011/6/19 23:20:00

led照明设计过程中关键问题全析

性封装成本;分散的封装形式有利于减低散热设计成本;选择国产的铝基pcb板材;便于光学设计;电源设计简化;封装形式多样;有利增强国产led竞争力。 这是Cree、nichia

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222103.html2011/6/19 23:24:00

大功率照明级led的封装技术、材料详解

料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤algainn碳化硅(sic)背面出光法。美国Cree公司是全球唯一采用sic衬底制造algainn超高亮度led的厂家,几年

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00

白光led照明时代来临日本发表量测标准

a)的蓝光led芯片。除了日亚化学之外,全球各大led也积极地开发出高发光效率的白光led,例如Cree在已经开始出货30mw的产品,预计在2006年年底投入33∼36mw的le

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229913.html2011/7/17 23:10:00

三种led衬底材料的比较

底碳化硅衬底(美国的Cree公司专门采用sic材料作为衬底)的led芯片电极是l型电极,电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00

下游市场苦挣扎 中国led产业令人担忧

却掌握在日本日亚(nichia)、美国科锐(Cree)、德国欧司朗等海外巨头手中。而在外延片和芯片领域,美国和日本企业处于垄断优势,拿走了60%以上的利润。中国大部分led企业,只

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/12/244215.html2011/10/12 17:09:42

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

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