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陆计划新增的mocvd 设备数量为09 年全球mocvd 供应量的50%，三年计划新增的1466 台，超过09 年全球mocvd 设备的总和，按照此计划，三年后外延片产能将是200
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222267.html2011/6/20 22:33:00
理事长许金寿表示，按照2010年照明研发产业联盟公布的数据，我国led照明产业总产值达到1200亿元，其中led应用900亿元，led芯片封装总产值250亿元，外延芯片总产值50亿
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222285.html2011/6/20 22:44:00
品主要供应中国大陆市场。福代先生也同时强调，日亚化学外延片的生长和芯片切割部分还是放在日本，这样在技术和成本方面会有优势。至于前段技术部分是否会引进中国，福代先生透露日亚目前还没有
http://blog.alighting.cn/aizaiyuji/archive/2011/7/13/229571.html2011/7/13 10:41:00
游技术的集中度并不高，从半导体材料生长、芯片、外延、封装等均有较多企业涉足。由近年来led光源产品非常迅速的发光性能提升和价格下降的程度也可以看出这是一种走快速普及化道路的新兴产
http://blog.alighting.cn/brucetuan/archive/2011/7/14/229684.html2011/7/14 15:49:00
d 的光谱分布与制备所用化合物半导体种类、性质及pn结结构（外延层厚度、掺杂杂质）等有关，而与器件的几何形状、封装方式无关。图5 led光谱分布曲线1.蓝光ingan/gan 2.绿
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00
来，因此其沟槽下方需要达到绝缘的基板，其深度依不同的外延结构而异，一般约在4~8um,沟槽宽度方面则无一定的限制，但是沟槽太宽代表着有效发光区域的减少，将影响hv led的发光效率表
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00
用纯净的碳化硅(sic)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化镓基料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00
亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
