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使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
而激光剥离装置“ux4-leds llo150”用于从蓝宝石(al2o3)基板上剥离氮化镓(GaN)膜，实现蓝宝石基板的重复利用
https://www.alighting.cn/news/20110722/115088.htm2011/7/22 10:33:30
近日，安徽莱德光电技术有限公司推出一款基于平板热管集成封装(cofb)led器件。与国内同类产品相比，其发光效率高、连续工作6000小时无光衰。
https://www.alighting.cn/news/20110722/115252.htm2011/7/22 9:51:00
当处理功耗相对较大的器件时,通常有必要估算电源管理电路的温度。使用通用热阻可以很好地比较采用相同封装的相似器件,但很可能得不到准确的温度预测。因此,通常有必要采用复杂的热计算或直
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/21/183355_89.htm2011/7/21 18:33:55
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备GaN基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
其在去年推出的32位单片机大大降低了系统成本。在整个器件的开发方面，飞思卡尔则会增加一些硬件方面的功能，来实现锂离子电池管理及电机控制的功能，这也减少了系统成本。同时，在软件方
http://blog.alighting.cn/kuaileshenghuo/archive/2011/7/21/230568.html2011/7/21 16:41:00
采用GaN基蓝色发光芯片为激发源，结合yag荧光粉封装成白光led(w-led)。对w-led的光电特性及其在照明光源中的应用条件作了深入的研究，测试了以串联形式集成的w-le
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/21/142741_10.htm2011/7/21 14:27:41
